單晶P/N型號測試儀簡介：
儀器運用了第四代集成電路設計、生產。儀器采用熱電法測量矽單晶型號，配置了可自動恒溫的熱探筆，並由液晶器件直接發顯示N、P型。對於電阻率小於1000Ω.cm的矽片、塊**以準確地鑒定出導電型號。
單晶P/N型號測試儀適用範圍：
適合檢測矽芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體矽。
適用於西門子法、矽烷法等生產**多晶矽料的企業。
適用於物理提*生產多晶矽料生產企業。
適用於光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業。
適用於科研部門、高等院校及需要**量程測量電阻率的企業。
儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響，因此測試精度**提高。
測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能。
*特的設計能**消除測量引線和接觸電阻產生的誤差，   ***測量的高精度和寬的量程範圍。
雙數字表結構使測量*，操作*簡便。
具有**的測試數據查詢及打印功能。
測量係統可實現自動換向測量、求平均值、值、值、平均百分變化率等。
四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構，使探針的遊移率減小，測量重複性**提高。
采用進口元器件，留有*大的係數，**提高了測試儀的性和使用壽命。
測量電流采用高度穩定的**恒流源（**之五精度），不受氣候條件的影響。
具有正測反測的功能，測試結果的準確性。
具有抗強磁場和抗高頻設備的性能。
單晶P/N型號測試儀產品特點：
儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響，因此測試精度**提高
測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
*特的設計能**消除測量引線和接觸電阻產生的誤差，   ***測量的高精度和寬的量程範圍
雙數字表結構使測量*，操作*簡便
具有**的測試數據查詢及打印功能
測量係統可實現自動換向測量、求平均值、值、值、平均百分變化率等
四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構，使探針的遊移率減小，測量重複性**提高
采用進口元器件，留有*大的係數，**提高了測試儀的性和使用壽命
測量電流采用高度穩定的**恒流源（**之五精度），不受氣候條件的影響
具有正測反測的功能，測試結果的準確性
具有抗強磁場和抗高頻設備的性能
單晶P/N型號測試儀參數：
測量範圍
鍺：近本征鍺≤103 Ω?cm    矽≤103 Ω?cm
顯示方式： 液晶直顯
功        耗：30W
供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
使用環境：溫度：23±2℃   相對溫度：≤65%